PHOENIX繼電器的點(diǎn)和缺點(diǎn)？
    PHOENIX繼電器進(jìn)行無(wú)觸點(diǎn)接通或分?jǐn)?。固體繼電器是一種四端器件，兩個(gè)輸入端，兩個(gè)輸出端。輸入端接控制信號(hào)，輸出端與負(fù)載、電源串聯(lián)，實(shí)際是一個(gè)受控的電力電子開(kāi)關(guān)，其等效電路如圖。
    由于PHOENIX繼電器具有高穩(wěn)定、高、無(wú)觸點(diǎn)及壽命長(zhǎng)等點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在電動(dòng)機(jī)調(diào)速、正反轉(zhuǎn)控制、調(diào)光、家用電器、烘箱烘道加溫控溫、送變電電網(wǎng)的建設(shè)與改造等方面。
    固體PHOENIX繼電器的工作原理
    固體PHOENIX繼電器與通常的電磁繼電器不同：無(wú)觸點(diǎn)、輸入電路與輸出電路之間光(電)隔離、由分立元件．半導(dǎo)體微電子電路芯片和電力電子器件組裝而成，以阻燃型環(huán)氧樹(shù)脂為原料，采用灌封技術(shù)持其封閉在外殼中、使與外界隔離，具有良的耐壓、防腐、防潮抗震動(dòng)。
    PHOENIX繼電器由輸入電路、驅(qū)動(dòng)電路和輸出電路三部分組成。
    這里僅以應(yīng)用較多的交流過(guò)零型固體繼電器為例，介紹其工作原理。該電路采用了過(guò)零觸發(fā)技術(shù)，具有電壓過(guò)零時(shí)開(kāi)啟，負(fù)裁電流過(guò)零時(shí)關(guān)斷的特性，在負(fù)載上可以得到一個(gè)完整的正弦波形，因此電路的射頻干擾很小。
    該   電路由信號(hào)輸人電路、零電壓檢測(cè)控制電路、工作指示電路、雙向晶閘管控制電路和吸收電路幾部分組成。采用了光電耦合器GD作為輸入電路和輸出電路之間的隔離元件，VD是防止Vin正負(fù)接反燒壞GD。
    電路工作過(guò)程：當(dāng)無(wú)輸入信號(hào)時(shí)，GD中的光敏三管裁止，VT1是交流電壓零點(diǎn)檢測(cè)器，通過(guò)R3獲得基電流而飽和導(dǎo)通，將VTH的門(mén)箝在低電位而處于關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)有輸入信號(hào)時(shí)，光敏三管導(dǎo)通，此時(shí)VTH的狀態(tài)由VT1決定，如此電源電壓大于過(guò)零電壓時(shí)，分壓器R3、R2的分壓點(diǎn)P電壓大于VBE1，VT1飽和導(dǎo)通，SCR門(mén)因箝位在低電位而截止，TR的門(mén)因沒(méi)有觸發(fā)脈沖而處于關(guān)斷狀態(tài)。只有當(dāng)電源電壓小于過(guò)零電壓，P點(diǎn)電壓小于VBE1時(shí)G1截止，SCR門(mén)獲得觸發(fā)信號(hào)而導(dǎo)通。在TR的門(mén)獲得觸發(fā)脈沖，TR就導(dǎo)通．從而接通負(fù)載電源。
    當(dāng)輸入信號(hào)關(guān)斷后GD中的光敏三管截止， G1飽和導(dǎo)通使SCR門(mén)箝位在低電位而關(guān)斷，但是此時(shí)TR仍保持導(dǎo)通狀態(tài)，負(fù)載上仍有電流流過(guò)，直到負(fù)載電流隨VAC減小到小于雙向晶閘管TR的維持電流后才會(huì)自行關(guān)斷，切斷負(fù)載電源。
    1、PHOENIX繼電器的點(diǎn)
    （1）高壽命，高：固態(tài)繼電器沒(méi)有機(jī)械零部件，有固體器件完成觸點(diǎn)功能，由于沒(méi)有運(yùn)動(dòng)的零部件，因此能在高沖擊，振動(dòng)的環(huán)境下工作，固態(tài)繼電器的壽命長(zhǎng)，性高。
    （2）靈敏度高，控制功率小，電磁兼容性:固態(tài)繼電器的輸入輸出電壓范圍較寬，驅(qū)動(dòng)功率低，可與大多數(shù)邏輯集成電路兼容不需加緩沖器或驅(qū)動(dòng)器。
    （3）快速轉(zhuǎn)換:固態(tài)繼電器因?yàn)椴捎霉腆w器件，所以切換速度可從幾毫秒至幾微妙。
    （4）電磁干擾小:固態(tài)繼電器沒(méi)有輸入“線圈”，沒(méi)有觸點(diǎn)燃弧和回跳，因而減少了電磁干擾。大多數(shù)交流輸出固態(tài)繼電器是一個(gè)零電壓開(kāi)關(guān)，在零電壓處導(dǎo)通，零電流處關(guān)斷，減少了電流波形的突然中斷，從而減少了開(kāi)關(guān)瞬態(tài)效
    2、PHOENIX繼電器的缺點(diǎn)
    （1）導(dǎo)通后的管壓降大，可控硅或雙相控硅的正向降壓可達(dá)1-2V，大功率晶體管的飽和壓降也在1-2V之間，一般功率場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻也較機(jī)械觸點(diǎn)的接觸電阻大。
    （2）半導(dǎo)體器件關(guān)斷后仍有數(shù)微安至數(shù)毫安的漏電流，不能實(shí)現(xiàn)電隔離。
    （3）管壓降大，導(dǎo)通后的功耗和發(fā)熱量也大，大功率固態(tài)繼電器的體積遠(yuǎn)大于同容量的電磁繼電器，成本也較高。
    （4）電子元器件的溫度特性和電子線路的抗干擾能力較差，耐輻射能力也較差，如不采取有效措施，則工作性低。
    （5）固態(tài)繼電器對(duì)過(guò)載有較大的敏感性，必須用快速熔斷器或RC阻尼電路對(duì)其進(jìn)行過(guò)載保護(hù)。固態(tài)繼電器的負(fù)載與環(huán)境溫度明顯有關(guān)，溫度升高，負(fù)載能力將迅速下降。
    （6）交直流不能通用，觸點(diǎn)組數(shù)少，另外過(guò)電流、過(guò)電壓及電壓上升率、電流上升率等指標(biāo)差。